Společná základna
V elektronice je běžnou základnou typ elektronického zesilovače používající bipolární tranzistor . Termín společná základna pochází ze skutečnosti, že „základní“ elektroda tranzistoru je připojena k zemi. V této konfiguraci je vstupní signál přiveden na vysílač a výstupní signál je obnoven na kolektoru.
Tento obvod není nejpoužívanější při nízké frekvenci, ale často se používá u zesilovačů, které vyžadují výjimečně nízkou vstupní impedanci, jako jsou
mikrofony kmitacích cívek. Tento obvod je široce používán ve vysokofrekvenčních zesilovačích, jako jsou VHF nebo UHF, protože jeho vstupní kapacita není zvýšena Millerovým efektem , který je zodpovědný za pokles vysokofrekvenčního zisku sestavy vysílače . Často se také používá ve vícestupňových zesilovačích, protože jeho vstupní proud závisí velmi málo na jeho výstupním napětí.
Další použití této sestavy je „nárazník“ proud, vstupní proud I E je v podstatě rovná výstupní proud I C .
Charakteristiky v malých signálech
Poznámka
Paralelní čáry označují, že komponenty jsou uspořádány
paralelně .
Získejte napětí
PROTIÓutPROTIine=Gm(RVS‖RlÓnad){\ displaystyle {V _ {\ mathrm {out}} \ přes V _ {\ mathrm {in}}} = g_ {m} (R _ {\ mathrm {C}} \ | R _ {\ mathrm {zatížení} }) \,}
Vstupní odpor
rine=RE‖rπ1+β0{\ displaystyle r _ {\ mathrm {in}} = R _ {\ mathrm {E}} \ vlevo \ | {r _ {\ pi} \ nad 1+ \ beta _ {0}} \ vpravo.}Zanedbáme odpor R1 // R2, protože základna je uzemněna (zkratujeme R1 // R2).
Aktuální zisk
NAprotim=rineRlÓnad{\ displaystyle A _ {\ mathrm {vm}} = {r _ {\ mathrm {in}} \ přes R _ {\ mathrm {zatížení}}}}
Výstupní odpor
rÓut=RVS{\ displaystyle r _ {\ mathrm {out}} = R _ {\ mathrm {C}} \,}Proměnné, které nejsou uvedeny v diagramu, jsou:
-
g m : transkonduktance v siemens , vypočtená díky , s:
Gm=JáVSPROTIT{\ displaystyle g_ {m} = {I _ {\ mathrm {C}} \ přes V _ {\ mathrm {T}}} \,}
-
β0=JáVSJáB{\ displaystyle \ beta _ {0} = {I _ {\ mathrm {C}} \ přes I _ {\ mathrm {B}}} \,}je nízkofrekvenční proudový zisk (běžně nazývaný h FE ). Jedná se o parametr specifický pro každý tranzistor. Je uvedeno v technickém listu.
- rπ=β0Gm=PROTITJáB{\ displaystyle r _ {\ pi} = {\ beta _ {0} \ nad g_ {m}} = {V _ {\ mathrm {T}} \ nad já _ {\ mathrm {B}}} \,}
Saturační proud
Jávs.Snat=PROTIvs.vs.(Rvs.+RE){\ displaystyle IcSat = {\ frac {Vcc} {\ vlevo (Rc + Re \ vpravo)}}}Sběratelský proud
Jávs.=((R2R1+R2)∗PROTIvs.vs.)-0,7RE{\ displaystyle Ic = {\ frac {\ left (\ left ({\ frac {R2} {R1 + R2}} \ right) * Vcc \ right) -0,7} {Re}}}
Vstupní napětí kolektoru
PROTIvs.E=PROTIvs.vs.-(Jávs.∗(Rvs.+RE)){\ displaystyle Vce = Vcc- \ left (Ic * \ left (Rc + Re \ right) \ right)}
Vstupní odpor
REne=RE′//RE{\ displaystyle Ren = Re '// Re}
Vstupní odpor „prime“
RE′=25JáE≃25Jávs.{\ displaystyle Re '= {\ frac {25} {Ie}} \ simeq {\ frac {25} {Ic}}}Podívejte se také
Související články
<img src="https://fr.wikipedia.org/wiki/Special:CentralAutoLogin/start?type=1x1" alt="" title="" width="1" height="1" style="border: none; position: absolute;">